Samsung a anunţat noile memorii V-NAND şi promite capacităţi de stocare mult mai mari

Samsung, ocupanta locului secund în topul producătorilor de semiconductori după Intel, a anunţat că a devenit prima companie care a atins stadiul producţiei în masă pentru cipurile de memorie fabricate printr-o tehnologie 3D. Acest proces de fabricaţie permite depăşirea limitelor de capacitate ale tehnologiilor folosite până acum, oferind şi posibilităţi mult mai bune de extindere.

Noua tehnologie de fabricaţie 3D este bazată pe o versiune îmbunătăţită a propriei tehnologii de fabricaţie Charge Trap Flash, care foloseşte nitrură de siliciu în locul stratului conductiv obişnuit fabricat din siliciu dopat şi oferă costuri de producţie mai mici şi capacităţi mai mari. Plecând de la aceasta, Samsung a pus la punct o tehnologie de fabricaţie Vertical NAND (V-NAND) care permite împachetarea celulelor de memorie nu doar în plan, aşa cum s-a procedat până acum, ci într-o structură tridimensională.

V-NAND permite utilizarea mult mai bună a volumului unui cip, oferind astfel posibilitatea livrării unor memorii cu capacităţi mai mari. În prezent, tehnologia permite stivuirea unui număr de maximum 24 de straturi, însă posibilităţile de extindere sunt viabile iar limitările sunt încă necunoscute.

Conform Samsung, noile memorii V-NAND au o fiabilitate de 10 ori mai mare decât cea a vechilor modele planare, oferă o performanţă dublă la scriere şi, momentan, posibilităţi duble de scalare faţă de tehnologiile de litografiere pe 20 de nanometri.

Primele cipuri produse de Samsung au o capacitate de 128 Gbit (16 GB), similare celor oferite de soluţiile NAND clasice, însă acestea pot fi împachetate în configuraţii care ajung până la 1 Tbit, în funcţie de cererea clienţilor. Aceste memorii V-NAND vor ajunge în unităţile de stocare SSD sau memoriile interne ale telefoanelor şi tabletelor. Compania nu a dezvăluit dacă există deja clienţi pentru noile produse, însă îi vom afla atunci când vom vedea primele telefoane cu memorii interne de 128 GB sau 256 GB.