Memoriile RRAM compacte şi ieftine promit creşterea considerabilă a capacităţii de stocare din telefoane

Memoriile interne NAND care sunt folosite de telefoanele sau tabletele moderne ating capacităţi de cel mult 128 GB, însă tehnologiile aflate în acest moment încă în dezvoltare promit spaţii de stocare mult mai generoase. Un astfel de exemplu este memoria rezistivă RAM (RRAM), care se apropie deja de stadiul primelor implementări, însă o metodă nouă de fabricaţie anunţată de curând promite că acestea ar putea deveni şi suficient de ieftine şi încăpătoare pentru a fi implementate în echipamentele electronice comune.

Deşi denumirea ne-ar putea face să credem că este vorba de o memorie volatilă, aşa cum este cunoscutul DRAM care este utilizat pentru memoria de sistem, RRAM este în realitate o tehnologie de stocare non-volatilă similară cu banalul NAND Flash. Avantajele acestei noi tehnologii sunt densitatea superioară, ratele mari de transfer şi posibilitatea mai bună de împachetare într-un cip cu dimensiuni reduse, singurele bariere fiind până acum procesele mai anevoioase de fabricaţie şi costurile mai mari ale acestora.

Spre deosebire de memoriile NAND, care folosesc tranzistori pentru stocarea datelor, memoriile RRAM se bazează pe mult mai simplele rezistenţe şi stochează date prin schimbarea conductivităţii unui dielectric. Conform unui anunţ făcut de un grup de cercetători din cadrul William Marsh Rice University (Houston, Statele Unite), aceştia au pus la punct o tehnologie pentru fabricarea memoriilor RRAM care promite atât simplificarea procesului de producţie, cât şi creştere densităţii.

În locul costisitorilor oxizi organici sau anorganici folosiţi până acum, cercetătorii americani au descoperit o metodă de fabricaţie care este funcţională la temperatura camerei şi care foloseşte doar oxizi banali de siliciu şi pelicule metalice de aur sau platină. Această metodă permite obţinerea unor memorii cu densităţi mult mai mari, mai precis 9 biţi pentru o celulă în locul celor cel mult 3 stocaţi de NAND, cu rate de transfer mai bune, cu un număr mult mai mare de cicluri de citire-scriere şi cu un consum energetic mai mic.

Cu ajutorul acestei tehnologii, producătorii de cipuri ar putea pune la punct memorii RRAM cu capacităţi de stocare de 1 TB care au dimensiunea unui timbru, iar acest produs va fi foarte atractiv pentru producătorii de echipamentele electronice. Deoarece memoriile RRAM sunt extrem de subţiri, acestea vor putea fi stivuite în blocuri cu sute de straturi, iar densităţile vor putea depăşi uşor şi această impresionantă cantitate. Primele memorii RRAM comerciale sunt aşteptate undeva către finalul acestui an, însă acestea nu vor fi fabricate deocamdată prin metoda recent descoperită.