După ce în urmă cu doar o săptămână dezvăluia seria de chipseturi Exynos 8 Octa, ca fiind baza următoarei generaţii de dispozitive mobile, Samsung prezintă acum primul membru al acestei familii – Exynos 8 Octa 8890. Realizat folosind procesul de fabricaţie pe 14 nm şi tranzistori cu tehnologie FinFET, aceasta este prima implementare care pune procesorul de sistem şi modemul LTE pe acelaşi chip de siliciu, obţinând economii importante de spaţiu şi consum de energie.
Rezervat pentru viitoarea generaţie de telefoane Galaxy S7, pregătite pentru lansare în luna februarie 2016, chipsetul Exynos 8 Octa 8890 este al doilea model realizat folosind procesul de fabricaţie pe 14 nm şi tranzistori FinFET, după Exynos 7 Octa 7420.
Exynos 8890 introduce un nou design de CPU, Samsung renunţând astfel la soluţiile oferite de ARM Holdings în favoarea unui nucleu personalizat conform propriilor cerinţe. În plus, noul modem LTE beneficiază de certificare Cat. 12, respectiv Cat. 13, promiţând viteze de până la 600 Mbps în download şi 150 Mbps la upload-ul de fişiere.
Chipsetul Exynos 8 Octa 8890 va intra în producţie înainte de finalul acestui an, în speranţa ca stocurile să fie suficiente pentru a permite debutul noului Galaxy S7 în luna februarie.