IBM și Samsung promit autonomie de o săptămână pentru viitoarele dispozitive smartphone

IBM și Samsung anunță o inovație care promite să revoluționeze în următorii ani designul microprocesoarelor, permițând organizarea tranzistorilor în straturi suprapuse pe verticală, ca o alternativă mult mai eficientă la dispunerea orizontală pe suprafața pastilei de siliciu.

Intrată de mulți ani în impas, miniaturizarea semiconductoarelor a atins o limită unde fiecare progres suplimentar este obținut cu investiții uriașe în activitatea de cercetare și dezvoltare a noilor echipamente de fabricație, efortul financiar devenind atât de mare încât doar câteva companii mai au o activitate la scară suficient de mare și profitabilă pentru a ține pasul. Vorbim, desigur, despre TSMC, Samsung, IBM și Intel, dar în mod realist, pe segmentul tehnologiilor de avangardă competiția se mai duce acum doar între doi jucători – TSMC și Samsung.

Noul design Vertical Transport Field Effect Transistor (VTFET) este menit să succeadă actuala tehnologie FinFET, permițând proiectarea de microprocesoare cu o organizare mult mai densă și, prin urmare, mai eficientă în privința consumului de energiei. În esență este vorba despre gruparea tranzistorilor atât pe orizontală, dar și pe verticală, scurtând distanțele de comunicare între diversele elemente logice. Microprocesoarele rezultate vor putea funcționa astfel cu latențe mai mici, crescând performanțele obținute, dar și voltaje mai reduse, cu beneficii majore asupra consumului de energie.

Spre comparație, Intel și AMD lucrează în prezent la perfecționarea unei soluții intermediare care presupune suprapunerea/lipirea cip-urilor individuale de siliciu, țintind aproximativ aceleași avantaje ca și viitoare cip-uri cu tranzistori VTFET, dar fără complicațiile modificării fundamentale a designului intern. Spre exemplu, AMD este așteptat să lanseze la începutul lui 2022 versiuni mai performante ale procesoarelor Ryzen 5xxx, echipate cu mai multă memorie cache L3, adăugată prin „lipirea” unui cip suplimentar la designul actual de procesor.

Deși va mai dura până să vedem chipset-uri cu tranzistori VTFET lansate pentru echiparea dispozitivelor smartphone, cele două companii cred că această tehnologie ar putea oferi “o dublare a performanței și, implicit, o reducere de 85% a consumului de energie” față de modelele actuale. IBM și Samsung menționează că, transpusă în domeniul telefoniei mobile, această tehnologie “va permite încărcarea o dată pe săptămână”. Însă cu siguranță, noile cip-uri vor avea căutare și în alte domenii, cum ar fi segmentul dispozitivelor ASIC Miner pentru generarea de criptomonede, acceleratoare grafice și instalații de tip supercomputer, în mod tradițional limitate de consumul uriaș de energie.