Samsung – memorie Flash de 4 ori mai rapidă pentru telefoane

Samsung a demarat producţia de masă pentru o nouă generaţie de chip-uri NAND flash, dedicate folosirii în telefoane mobile. Noile memorii sunt de 4 ori mai rapide decât cele întâlnite în actuala generaţie de tablete şi telefoane inteligente, atingând chiar şi 140 MB/s la citirea datelor.

Noile chip-uri Samsung sunt dotate cu propriul controller de memorie şi celule MLC Nand Flash cu tehnologie toggle DDR 2.0, proiectate pentru o lăţime de bandă teoretică de 200 MB/s. Memoriile sunt produse folosind litografie pe 20 nm şi disponibile în versiuni cu capacităţi de 16 GB, 32 GB şi 64 GB.

Chip-urile cu tehnologie toggle DDR 2.0, similare celor folosite în noua generaţie de SSD-uri Samsung, oferă performanţe de până la patru ori mai mari decât cele din vechia generaţie. Acestea suportă aproximativ 1500 IOPS (accesări pe secundă) la operaţiile de scriere şi 3500 IOPS la cele de citire, îmbunătăţind dramatic performanţele la lucrul cu fişiere de mici dimensiuni şi încărcarea aplicaţiilor. Vitezele de transfer ating 50 MB/s la operaţiile de scriere şi 140 MB/s la cele de citire a datelor.

Chiar dacă Samsung nu a dezvăluit lista producătorilor OEM abonaţi la noul tip de memorie, ne putem aştepta ca în afară de tablete şi telefoane Samsung, chip-urile de memorie toggle DDR 2.0 să ajungă rapid şi în produsele rivalului Apple – unul dintre principalii clienţii ai companiei.