Intel şi Micron produc un nou tip de memorie non-volatilă, de 1000x mai rapidă decât NAND flash

Intel şi Micron au început producţia unui nou tip de memorie non-volatilă, proiectată de la zero pentru a fi mai rapidă, mai durabilă, mai încăpătoare şi mai puţin costisitoare decât soluţiile actuale bazate pe tehnologie NAND Flash.

Prezentate drept prima clasă de memorie non-volatilă complet nouă după introducerea chip-urilor NAND Flash în anul 1989,  memoriile cu tehnologie 3D XPoint sunt produsul a peste zece ani de cercetare şi dezvoltare, având drept ţel găsirea unei alternative pentru tehnologiile actuale. Potrivit Intel,  noul tip de memorie a fost ˝proiectat de la zero pentru a adresa nevoia de memorii non-volatile capabile să ofere performanţe, anduranţă şi capacitate crescută la un cost accesibil˝.

În timp ce tehnologia NAND Flash presupune folosirea de tranzistori pentru păstrarea informaţiei, grupaţi pe orizontală în blocuri de date care sunt citite/scrise cu ajutorul unui microprocesor specializat, tehnologia 3D XPoint renunţă complet la folosirea de transistori ca şi mijloc de păstrare a informaţiei. În schimb, chip-ul de memorie este organizat tridimensional folosind reţele suprapuse cu aspectul unei table de şah. Potrivit Intel ˝celulele de memorie stau la intersecţia traseelor word line şi bit line, putând fi adresate individual˝, de până la 1000x mai rapid decât este posibil cu memoriile flash tradiţionale.

Modul de organizare tridimensional şi renunţarea la tranzistori permite obţinerea unor chip-uri de memorie cu densitate de 10x ori mai mare decât este posibil cu soluţiile NAND flash, mai eficiente în ce priveşte consumul de energie şi mai economice. Veştile bune nu se opresc aici, noile memorii cu de 1000x anduranţa chip-urilor NAND eliminând una din problemele fundamentale ale tehnologiei flash – uzura rapidă în timp, direct proporţională cu numărul operaţiilor de scriere/ştergere.