Intel promite procesoare cu 1 trilion de tranzistori până în 2030

Intel, cândva liderul pe piața de procesoare, atât în dezvoltarea de tehnologii noi, cât și în capacitatea de producție, a fost depășit în ultimii ani de rivali precum TSMC și Samsung. Aceste companii oferă deja partenerilor capabilitatea de a dezvolta cipuri pe arhitectură de 4nm, iar în curând vor trece și la noduri de 3 nm. Intel, în schimb, este abia pe 10nm, însă compania promite că va investi masiv în următorii ani pentru a recâștiga titulatura de lider în tehnologia procesoarelor.

Procesoarele Intel vor adopta noi tehnologii mai repede decât până acum

Compania americană a sărbătorit 75 de ani de la crearea primului tranzistor, iar în cadrul IDEM 2022 (International Electron Devices Meeting) a anunțat că are în plan ca în următorii 7 ani, deci cândva prin 2030, să lanseze primul procesor care să includă 1 trilion de tranzistori. Acest lucru nu este momentan posibil cu tehnologiile pe care le avem la dispoziție, însă micșorarea procesului de fabricație ar trebui să permită „înghesuirea” unui număr mai mare de tranzistori într-un „pachet” de dimensiuni obișnuite.

Intel spune că va face acest lucru posibil prin aplicarea legii lui Moore. Gordon Moore, co-fondatorul Intel, a stabilit această „lege”, spunând inițial că în fiecare an, iar mai târziu că la fiecare doi ani, densitatea de tranzistori dintr-un procesor se dublează. Aceasta a fost valabilă până în urmă cu câțiva ani, când domeniul procesoarelor a început să stagnaeze. Acum însă, cu noile procese de fabricație, lega lui Moore pare că are șanse să fie din nou valabilă.

Intel va încerca să fie prima companie care va beneficia de litografie de tip HNAEUV (High Numerical Aăerture Extreme Ultraviolet), următorul pas în producția de procesoare. Aceasta va oferi posibilitatea de a crea procesoare cu dimensiuni de 1,7 ori mai mici decât în prezent și cu o densitate de tranzistori de aproape 3 ori mai mare (2,9x).

Noul proces de fabricație va înlocui transistorii de tip FinFET cu ceea ce este numit RibbonFET, care va folosi nano-panglici suprapuse vertical pentru a permite trecerea curentului pe toate cele patru părți ale unui canal. Mai mult, Intel vorbește despre noi materiale compuse din doar trei atomi, care vor fi folosite în producția de tranzistori. Acestea vor permite creșterea densității și mai mult până la saltul de 10 ori față de cel din prezent.

Desigur, procesoare cu densitate mare de tranzistori va rezulta în performanță ridicată, deci ar trebui să ne așteptăm la salturi importante de putere de procesare în următorii câțiva ani.

sursa: Phone Arena