Galaxy Note 6 ar putea veni cu 6 GB memorie RAM pe 10 nm

Zvonuri despre hardware-ul intern al lui Samsung Galaxy Note 6 au început să apară de câteva luni bune, însă Samsung a anunţat astăzi un modul de memorie care cu siguranţă va fi integrat în noul telefon. Compania a produs primul cip de memorie de 6 GB LPDDR4 construit pe arhitectură de 10 nm, depăşind astfel microprocesoarele, care momentan sunt construite pe 14 nm. Miniaturizarea va aduce de la sine eficienţă sporită şi viteze îmbunătăţite.

Modulul prezentat de Samsung „câtăreşte” 6 GB de memorie foarte rapidă. Aceasta se aliniază la zvonurile despre Galaxy Note 6, care ar putea fi primul smartphone al companiei care depăşeşte 4 GB memorie RAM. Acesta va ocupa mai puţin spaţiu în carcasă, graţie dimensiunilor reduce, lucru care pe viitor va asigura posibilitatea de a integra mai multă memorie pe plăcile de bază ale dispozitivelor mobile. În general, Samsung anunţă noi componente pentru smartphone-uri cu puţin timp înainte de dezvăluirea noilor modele, lucru care s-a întâmplat de curând şi în cazul Samsung Galaxy S7.

Alte caracteristici aşteptate pentru Galaxy Note 6 de la Samsung sunt display-ul care ar putea măsura chiar 5,9”  în diagonală, un nou stylus S-Pen şi un acumulator gigant de 4.000 mAh. Acesta ar putea fi totodată primul telefon al companiei care adoptă standardul USB Type-C, Galaxy S7 fiind în acest moment singurul flagship cu Android din 2016 care s-a lansat tot cu vechea mufă micro-USB.

Lansarea Galaxy Note 6 este aşteptată în cadrul unui eveniment Unpacked care va avea cu siguranţă loc în cadrul IFA 2016 la Berlin, însă zvonurile spun că aceasta ar putea fi puţin accelerată, telefonul putând să debuteze la mijlocul lunii august.

Citeşte şi Galaxy Note 6 ar putea veni cu un display mai mare şi 6 GB memorie RAM