Probabil că ar fi o idee bună să eviți cea mai ieftină versiune Galaxy S23, echipată de Samsung cu o soluție de stocare internă simțitor mai lentă decât celelalte modele din serie.
Este vorba despre echiparea Galaxy S23 cu 128GB memorie internă, livrată de Samsung cu un chip NAND bazat pe formatul UFS3.1, similar actualelor modele Galaxy S22. În schimb, versiunea Galaxy S23 cu 256GB memorie internă și toate celelalte modele din serie primesc soluții NAND bazate pe noul format UFS 4.0. Concret, acesta promite viteze de până la 4,200MB/s și 2,800MB/s la operațiile de citire/scriere a datelor, în condițiile unui consum de energie cu 46% mai mic. Altfel spus, echiparea Galaxy S23 cu 256GB ar putea avea o autonomie a bateriei mai bună decât versiunea cu 128GB.
Informația apare în contextul unor zvonuri contradictorii, sugerând că toate versiunile S23 vor avea măcar 256GB memorie internă. Speculația se bazează pe faptul că Samsung nici nu are în ofertă soluții NAND Flash cu format UFS 4.0. Astfel, Samsung fie discriminează cumpărătorii modelului mai ieftin, sau elimină din ofertă. această versiune de echipare.
Pentru referință, soluțiile UFS3.1 au viteze maxime teoretice de 1200MB/s la operațiile de citire a datelor, însă doar pentru versiunile cu stocare de 256GB și 512GB. În schimb, Samsung enunță o viteză maximă de 850MB/s în echiparea UFS3.1 de 128GB.