În ciuda informaţiilor din ultimele câteva zile, anumite zvonuri spun că una dintre funcţiile pe care multe dintre smartphone-urile de top o vor avea anul viitor, încărcarea rapidă prin intermediul QuickCharge 4+ de la Qualcomm, nu va fi prezentă pe modelele Galaxy S9 echipate cu chipset-uri Snapdragon 845.
Conform utilizatorului I Ice Universe de pe Weibo, cunoscut pentru leak-uri care au putut fi verificate în trecut, Samsung va refuza să plătească licenţele de utilizare pentru tehnologia QuickCharge 4+ în Statele Unite şi Hong Kong, unde telefonul va fi comercializat cu chipset Snapdragon 845. Astfel, telefonul nu va putea fi încărcat viteză maximă, însă va beneficia totuşi de încărcare mai rapidă decât cea standard. Asemeni modelelor din trecut (care nu foloseau QuickCharge 3), Galaxy S9 ar putea folosi tehnologia mai veche şi mai lentă AFC (Adaptive Fast Charging), bazată pe QuickCharge 2.0, pe care are deja licenţă de mai mulţi ani.
Nu este clar care va fi diferenţa de viteză la încărcare între modelul din Statele Unite şi cel din Europa, unde Galaxy S9 va folosi cu siguranţă chipset-uri proprietare din gama Exynos Series 9. În ultimii câţiva ani, compania a reuşit să livreze procesoare comparabile din punct de vedere al performanţei cu ceea ce oferă Qualcomm, deci probabil că şi în cazul încărcării, acestea ar putea folosi tehnologii similare.
Cert este că Samsung Galaxy S9 va fi tras în jos la capitolul încărcare rapidă de probleme de ordin juridic şi financiar, nu de probleme hardware, componentele integrate fiind mai mult decât capabile să ofere performanţă mai bună. Având în vedere însă problemele pe care compania le-a avut cu bateriile din ultimul an, probabil că nu se grăbeşte să adopte tehnologii noi fără o testare riguroasă atunci când vine vorba despre alimentarea cu curent la intensitate mai mare.