Samsung va livra chipseturi pe 3nm începând cu anul viitor

Samsung anunță că va putea livra livra chipseturi pe 3nm la scară comercială începând cu anul viitor. Vestea vine după ce rivalul TSMC anunța la începutul anului planuri pentru începerea producției ”de risc” folosind propria implementare a procesului de fabricație pe 3nm.

Producția de risc este etapa imediat următoare încheierii testelor interne, în care un fabricant de semiconductoare este suficient de încrezător în maturitatea procesului de fabricație nou dezvoltat încât poate accepta și proiectele clienților. Se numește producție „de risc” deoarece rata de succes (numărul chip-uri funcționale vs defecte) nu poate fi garantată. Aceasta este însă o etapă esențială pentru descoperirea eventualelor probleme cu tehnologia de fabricație sau cu designul chip-urilor. De regulă, mai sunt necesare câteva revizii pentru atingerea țintelor de performanță propuse și controlarea defectelor în procesul de fabricație.

În cazul Samsung, anunțul vizează direct începerea producției de volum, însemnând că am putea ține în mână smartphone-uri bazate pe chipseturi cu proces de fabricație pe 3nm, chiar de anul viitor.

Samsung Foundry este al doilea mare fabricant de semiconductoare, după TSMC. Potrivit surselor din industrie, primele chipseturi pe 3nm livrate de Samsung vor folosi o variație a procesului pe 3nm numită 3GAE (3nm Gate-All-Around Early), ceea ce înseamnă că potențialul maxim nu va fi atins imediat, revizii ulterioare optimizând partea de eficiență și performanță, nivelul optim fiind atins abia în preajma anului 2023.

Deși Samsung nu reiterează avantajele oferite de procesului  3GAE și 3GAP (versiunea finală), detaliile oficiale comunicate anterior descriu un salt de 35% pe partea de performanță și 50% pe cea de eficiență, comparat nodului de fabricație anterior pe 7nm (7LPP).

Între timp, pentru chipseturile proiectate în jurul arhitecturii mai vechi, FinFET pe 5 nm, Samsung adaugă în calendar reviziile 5LPP și 4LPP, cu termen de livrare în anul 2021 și 2022.