Samsung anunţă o nouă generaţie de chip-uri DRAM pentru dispozitive mobile. Acestea vor scădea consumul de energie

Samsung a anunţat disponibilitatea unei noi generaţii de chip-uri LPDDR4X pentru dispozitive mobile, realizate folosind a doua generaţie a procesului de fabricaţie pe 10 nm (1y-nm).

Oferind capacităţi de 16 Gb (2GB per chip), acestea ating viteze de transfer de 4266 Mbps, comparabile soluţiilor folosite cu actuala generaţie de produse smartphone high-end. Noutatea constă în reducerea cu aproximativ 10% a consumului de energie, suficient pentru a creşte sesizabil durata de utilizare a bateriei.

Combinând patru chip-uri LPDDR4X din noua generaţie, Samsung a obţinut un pachet DRAM cu 20% mai subţire decât soluţia din prima generaţie, lăsând mai mult spaţiu în carcasa dispozitivelor pentru alte componente de importanţă critică (ex. un acumulator mai mare). Cu o capacitate efectivă de 8GB, noul pachet LPDDR4X va ajunge în echiparea lui Galaxy S10 şi alte modele flagship pregătite pentru lansare la începutul anului viitor.

Samsung va continua să extindă oferta de chip-uri DRAM bazate pe procesul de fabricaţie 10 nm (1y-nm), livrând soluţii LPDDR4X de 4GB, 6GB şi 8GB pentru toate categoriile de dispozitive mobile, cu beneficii similare pentru autonomia bateriei.