Snapdragon 8 Gen 3 ar putea atinge 3.7 GHz. Noi detalii despre configurația folosită

Comparat predecesorului Gen1, actuala generație SD8 Gen 2 a reușit să impresioneze printr-un salt major la partea de performanță și eficiență, Snapdragon 8 Gen 3 venind să consolideze aceste atuuri.

Listat încă din luna februarie în catalogul Geekbench, SD8 Gen 3 afișa încă de la stadiul de prototip timpuriu un salt de performanță consistent. Totodată, informațiile obținute pe surse descriau și un salt de cel puțin 20% în privința eficienței consumului de energie.

Așteptat ceva mai devreme decât predecesorul Gen 2, Snapdragon 8 Gen 3 se prefigurează cu un cluster de procesare capabil sa atingă frecvența de 3,7 GHz pe nucleul principal, suficient pentru a livra performanțe cu cel puțin 15 % mai mari în modul single-core decât seria Gen 2. În plus, Snapdragon 8 Gen 3 ar urma să fie livrat de partenerul TSMC, folosind nodul de fabricație pe 4 nm.

La nivel de bază, configurația va avea un nucleu X-4 de înaltă performanță (până la 3,7 GHz), cinci nuclee optimizate pentru performanță și alte două nuclee optimizate pentru eficiență, Qualcomm modificând aranjamentul 1+4+3 folosit de SD 8 Gen 2. Cele cinci nuclee X-3 nu vor fi prea diferite de soluția Core-A720 livrată cu actuala serie Gen 2, fiind doar ajustate la frecvența de 3.0GHz. Nucleele optimizate pentru eficiență ar urma să fie din seria  Cortex-A520, cu frecvență la 2 GHz.

Arsenalul lui SD 8 Gen 3 va include cu siguranță și Snapdragon X75, noul modem 5G dezvoltat de Qualcomm, capabil să reducă cu până la 20% consumul de energie la folosirea conectivității 5G.

Deși selectarea procesului de fabricație TSMC pe 3nm ar fi permis atingerea unui nivel de performanță/eficiență și mai competitiv, alternativa pe 4nm oferă avantajul unor costuri mult reduse pentru Qualcomm și promisiunea livrării la timp a cip-urilor comandate.