Snapdragon 895 și Exynos 2200, primele chipseturi pe 4nm

Cu pași tot mai mici, miniaturizarea proceselor de fabricație a semiconductoarelor încă că continuă, următoarea „stație” spre limitele fizicii convenționale fiind nodul de 4nm, imediat următor celui pe 5nm folosit în prezent.

AMD a dat deja tonul industriei, demonstrând o versiune prototip a procesorului Ryzen 5900X, care dublează memoria cache L3 prin alipirea unei „pastile” suplimentare de silicon, imediat sub cea a procesorului principal. Tehnologia nu este tocmai nouă, aceasta existând de ani buni sub denumirea HBM, fiind folosită tot de AMD pentru alipirea memoriei RAM în pachetul acceleratoarelor grafice de ultimă generație.

Deocamdată, trecerea la procesul de fabricație pe 4nm nu va aduce salturi majore de performanță, comparat actualei tehnologii pe 5nm. Adevăratul țel este nodul de fabricație pe 3nm și chiar 2nm, aflate chiar la limita posibilităților oferite de legile convenționale ale fizicii. Mai departe, salturile de performanță și eficiență vor trebui obținute prin alte mijloace, cum ar fi îmbunătățiri la nivelul arhitecturii microprocesoarelor și alte inovații costisitoare, cum este cea descrisă mai sus.

Revenind la duetul Snapdragon 895 / Exynos 2200, niciunul nu primește deocamdată indicatori de performanță concreți. Știm doar că TSMC este doar unul dintre marii jucători din industrie, producătorul Qualcomm plătind către Samsung nu mai puțin de 850 milioane dolari pentru fabricarea chipsetului Snapdragon 888, după ce TSMC ar fi declinat oferta folosind drept justificare capacitatea de producție complet contractată.

Deținător al celor mai avansate metode de fabricație din industrie, TSMC nu este în mod automat cea mai bună alegere pentru fabricarea de microprocesoare, clienți de rang înalt precum Samsung având cel mult acces pentru contractarea unor volume reduse denumite „producție de risc”, presupunând furnizarea de microprocesoare confecționate folosind cel mai recent nod de fabricație disponibil, fără a ține seama de costurile reale implicate.